Kaufen Vishay Siliconix SQ2310ES-T1_GE3 MOSFET N-CH 20V 6A SOT23

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Datenblätter

SQ2310ES-T1_GE3

MOSFET N-CH 20V 6A SOT23

Artikelnummer

SQ2310ES-T1_GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-236

Verlustleistung (max.)

2W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

485pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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