Kaufen Vishay Siliconix SIZF300DT-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

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Datenblätter

SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

Artikelnummer

SIZF300DT-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Teilestatus

Active

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerWDFN

Leistung max

3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)

Gerätepaket des Lieferanten

8-PowerPair® (6x5)

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 10A, 10V, 1.84 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V, 62nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V

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