Kaufen Vishay Siliconix SIZ200DT-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V

China
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Datenblätter

SIZ200DT-T1-GE3

MOSFET N-CH DUAL 30V

Artikelnummer

SIZ200DT-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Teilestatus

Active

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerWDFN

Leistung max

4.3W (Ta), 33W (Tc)

Gerätepaket des Lieferanten

8-PowerPair® (3.3x3.3)

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V, 30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V

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