Kaufen Vishay Siliconix SIUD406ED-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806

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Datenblätter

SIUD406ED-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806

Artikelnummer

SIUD406ED-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® 0806

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® 0806

Verlustleistung (max.)

1.25W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

500mA (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

17pF @ 15V

Vgs (Max)

±8V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

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