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SISS72DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V

Artikelnummer

SISS72DN-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® 1212-8S

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® 1212-8S

Verlustleistung (max.)

5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

7A (Ta), 25.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

550pF @ 75V

Vgs (Max)

±20V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

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