Kaufen Vishay Siliconix SISS02DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

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Datenblätter

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Artikelnummer

SISS02DN-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® 1212-8S

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® 1212-8S

Verlustleistung (max.)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

51A (Ta), 80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

83nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

4450pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

+16V, -12V

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