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SISS67DN-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Artikelnummer

SISS67DN-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen III

Teilestatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® 1212-8S

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® 1212-8S

Verlustleistung (max.)

65.8W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

111nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

4380pF @ 15V

Vgs (Max)

±25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

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