Kaufen Vishay Siliconix SISS32DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Datenblätter

SISS32DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212

Artikelnummer

SISS32DN-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Teilestatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® 1212-8S

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® 1212-8S

Verlustleistung (max.)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.8V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1930pF @ 40V

Vgs (Max)

±20V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

7.5V, 10V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 48570 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-