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SISH410DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Artikelnummer

SISH410DN-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® 1212-8SH

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® 1212-8SH

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

22A (Ta), 35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1600pF @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

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