Kaufen Vishay Siliconix SISH129DN-T1-GE3 MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

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Datenblätter

SISH129DN-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Artikelnummer

SISH129DN-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® 1212-8S

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® 1212-8S

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 52.1W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

14.4A (Ta), 35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.4 mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3345pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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