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SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
Artikelnummer
SISF00DN-T1-GE3
Hersteller/Marke
Serie
TrenchFET® Gen IV
Teilestatus
Active
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
PowerPAK® 1212-8SCD
Leistung max
69.4W (Tc)
Gerätepaket des Lieferanten
PowerPAK® 1212-8SCD
FET-Typ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2700pF @ 15V
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