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Datenblätter

SIS902DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

Artikelnummer

SIS902DN-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Digi-Reel®

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® 1212-8 Dual

Leistung max

15.4W

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® 1212-8 Dual

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss)

75V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

186 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

175pF @ 38V

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