Kaufen Vishay Siliconix SIRB40DP-T1-GE3 MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

China
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Datenblätter

SIRB40DP-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Artikelnummer

SIRB40DP-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SO-8 Dual

Leistung max

46.2W

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SO-8 Dual

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.25 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

4290pF @ 20V

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