Kaufen Vishay Siliconix SIRA80DP-T1-RE3 MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

SIRA80DP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8

Artikelnummer

SIRA80DP-T1-RE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Teilestatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SO-8

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SO-8

Verlustleistung (max.)

104W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.62 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

188nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

9530pF @ 15V

Vgs (Max)

+20V, -16V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 38223 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

SIRA00DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8