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SIRA01DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8

Artikelnummer

SIRA01DP-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SO-8

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SO-8

Verlustleistung (max.)

5W (Ta), 62.5W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

26A (Ta), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

112nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3490pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

+16V, -20V

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