Kaufen Vishay Siliconix SIR626LDP-T1-RE3 MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8

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Datenblätter

SIR626LDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8

Artikelnummer

SIR626LDP-T1-RE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Teilestatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SO-8

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SO-8

Verlustleistung (max.)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

135nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

5900pF @ 30V

Vgs (Max)

±20V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

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