Kaufen Vishay Siliconix SIR606BDP-T1-RE3 MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Datenblätter

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Artikelnummer

SIR606BDP-T1-RE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SO-8

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SO-8

Verlustleistung (max.)

5W (Ta), 62.5W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

10.9A (Ta), 38.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.4 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1470pF @ 50V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

7.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 53502 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8