Kaufen Vishay Siliconix SIR402DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

SIR402DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Artikelnummer

SIR402DP-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SO-8

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SO-8

Verlustleistung (max.)

4.2W (Ta), 36W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1700pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 26697 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

SIR401DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8