Kaufen Vishay Siliconix SIR106DP-T1-RE3 MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

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Datenblätter

SIR106DP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Artikelnummer

SIR106DP-T1-RE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SO-8

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SO-8

Verlustleistung (max.)

3.2W (Ta), 83.3W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

16.1A (Ta), 65.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3610pF @ 50V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

7.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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