Kaufen Vishay Siliconix SIJ188DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8

China
Professioneller Lieferant elektronischer Komponenten

Kataloge Hersteller CN ICs

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Datenblätter

SIJ188DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8

Artikelnummer

SIJ188DP-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Teilestatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SO-8

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SO-8

Verlustleistung (max.)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.85 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.6V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1920pF @ 30V

Vgs (Max)

±20V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

7.5V, 10V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 45200 PCS

Kontaktinformationen