Kaufen Vishay Siliconix SIHU3N50DA-GE3 MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

SIHU3N50DA-GE3

MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Artikelnummer

SIHU3N50DA-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

Gerätepaket des Lieferanten

IPAK (TO-251)

Verlustleistung (max.)

69W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

177pF @ 100V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 39928 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

SIHU2N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK