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SIHJ6N65E-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

Artikelnummer

SIHJ6N65E-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SO-8

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SO-8

Verlustleistung (max.)

74W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

5.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

868 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

596pF @ 100V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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