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SIHH14N60E-T1-GE3

SIHH14N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8
Artikelnummer
SIHH14N60E-T1-GE3
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerTDFN
Gerätepaket des Lieferanten
PowerPAK® 8 x 8
Verlustleistung (max.)
147W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
255 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
82nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1416pF @ 100V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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