Kaufen Vishay Siliconix SIHH100N60E-T1-GE3 MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X

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Datenblätter

SIHH100N60E-T1-GE3

MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X

Artikelnummer

SIHH100N60E-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

Teilestatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerTDFN

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® 8 x 8

Verlustleistung (max.)

174W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

28A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1850pF @ 100V

Vgs (Max)

±30V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

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