Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
SIE726DF-T1-E3

SIE726DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
Artikelnummer
SIE726DF-T1-E3
Hersteller/Marke
Serie
SkyFET®, TrenchFET®
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
10-PolarPAK® (L)
Gerätepaket des Lieferanten
10-PolarPAK® (L)
Verlustleistung (max.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
7400pF @ 15V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 23104 PCS
Kontaktinformationen
Schlüsselwörter von SIE726DF-T1-E3
SIE726DF-T1-E3 Elektronische Komponenten
SIE726DF-T1-E3 Verkäufe
SIE726DF-T1-E3 Anbieter
SIE726DF-T1-E3 Verteiler
SIE726DF-T1-E3 Datentabelle
SIE726DF-T1-E3 Fotos
SIE726DF-T1-E3 Preis
SIE726DF-T1-E3 Angebot
SIE726DF-T1-E3 Geringster Preis
SIE726DF-T1-E3 Suchen
SIE726DF-T1-E3 Einkauf
SIE726DF-T1-E3 Chip