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SIB911DK-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

Artikelnummer

SIB911DK-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SC-75-6L Dual

Leistung max

3.1W

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SC-75-6L Dual

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

295 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

115pF @ 10V

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