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SIA936EDJ-T1-GE3

SIA936EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70
Artikelnummer
SIA936EDJ-T1-GE3
Hersteller/Marke
Serie
TrenchFET®
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Leistung max
7.8W
Gerätepaket des Lieferanten
PowerPAK® SC-70-6 Dual
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
-
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