Kaufen Vishay Siliconix SIA910EDJ-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6

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Datenblätter

SIA910EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6

Artikelnummer

SIA910EDJ-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Leistung max

7.8W

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SC-70-6 Dual

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

455pF @ 6V

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