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SIA850DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
Artikelnummer
SIA850DJ-T1-GE3
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gerätepaket des Lieferanten
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Verlustleistung (max.)
1.9W (Ta), 7W (Tc)
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
190V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
950mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
90pF @ 100V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
1.8V, 4.5V
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