Kaufen Vishay Siliconix SIA850DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

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Datenblätter

SIA850DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

Artikelnummer

SIA850DJ-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

LITTLE FOOT®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Verlustleistung (max.)

1.9W (Ta), 7W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Schottky Diode (Isolated)

Drain-Source-Spannung (Vdss)

190V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

950mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

90pF @ 100V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±16V

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