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SIA810DJ-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6

Artikelnummer

SIA810DJ-T1-E3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

LITTLE FOOT®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Verlustleistung (max.)

1.9W (Ta), 6.5W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Schottky Diode (Isolated)

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

4.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

53 mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

400pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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