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SI8429DB-T1-E1

MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP

Artikelnummer

SI8429DB-T1-E1

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

4-XFBGA, CSPBGA

Gerätepaket des Lieferanten

4-Microfoot

Verlustleistung (max.)

2.77W (Ta), 6.25W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

11.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1640pF @ 4V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)

±5V

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