Kaufen Vishay Siliconix SI8401DB-T1-E1 MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP

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Datenblätter

SI8401DB-T1-E1

MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP

Artikelnummer

SI8401DB-T1-E1

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

4-XFBGA, CSPBGA

Gerätepaket des Lieferanten

4-Microfoot

Verlustleistung (max.)

1.47W (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

3.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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