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SI8417DB-T2-E1

SI8417DB-T2-E1

MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP
Artikelnummer
SI8417DB-T2-E1
Hersteller/Marke
Serie
TrenchFET®
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
6-MICRO FOOT™
Gerätepaket des Lieferanten
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Verlustleistung (max.)
2.9W (Ta), 6.57W (Tc)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2220pF @ 6V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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