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SI8417DB-T2-E1

MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP

Artikelnummer

SI8417DB-T2-E1

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-MICRO FOOT™

Gerätepaket des Lieferanten

6-Micro Foot™ (1.5x1)

Verlustleistung (max.)

2.9W (Ta), 6.57W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

14.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2220pF @ 6V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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