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SI7308DN-T1-E3

SI7308DN-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
Artikelnummer
SI7308DN-T1-E3
Hersteller/Marke
Serie
TrenchFET®
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
PowerPAK® 1212-8
Gerätepaket des Lieferanten
PowerPAK® 1212-8
Verlustleistung (max.)
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
665pF @ 15V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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