Kaufen Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP

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Datenblätter

SI6913DQ-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP

Artikelnummer

SI6913DQ-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Leistung max

830mW

Gerätepaket des Lieferanten

8-TSSOP

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 400µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

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