Kaufen Vishay Siliconix SI6562CDQ-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP

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Datenblätter

SI6562CDQ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP

Artikelnummer

SI6562CDQ-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Leistung max

1.6W, 1.7W

Gerätepaket des Lieferanten

8-TSSOP

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

6.7A, 6.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 5.7A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

850pF @ 10V

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