Kaufen Vishay Siliconix SI6415DQ-T1-E3 MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP

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Datenblätter

SI6415DQ-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP

Artikelnummer

SI6415DQ-T1-E3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Gerätepaket des Lieferanten

8-TSSOP

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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