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SI6404DQ-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP

Artikelnummer

SI6404DQ-T1-E3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Gerätepaket des Lieferanten

8-TSSOP

Verlustleistung (max.)

1.08W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

8.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.5V, 10V

Vgs (Max)

±12V

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