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SI5471DC-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8

Artikelnummer

SI5471DC-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SMD, Flat Lead

Gerätepaket des Lieferanten

1206-8 ChipFET™

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 6.3W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 9.1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2945pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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