Kaufen Vishay Siliconix SI5401DC-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

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Datenblätter

SI5401DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

Artikelnummer

SI5401DC-T1-E3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SMD, Flat Lead

Gerätepaket des Lieferanten

1206-8 ChipFET™

Verlustleistung (max.)

1.3W (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

5.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32 mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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