Kaufen Vishay Siliconix SI5402BDC-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

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Datenblätter

SI5402BDC-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Artikelnummer

SI5402BDC-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SMD, Flat Lead

Gerätepaket des Lieferanten

1206-8 ChipFET™

Verlustleistung (max.)

1.3W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

4.9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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