Kaufen Vishay Siliconix SI4202DY-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO

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Datenblätter

SI4202DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO

Artikelnummer

SI4202DY-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Leistung max

3.7W

Gerätepaket des Lieferanten

8-SO

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

12.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

710pF @ 15V

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