Kaufen Vishay Siliconix SI3850ADV-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP

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Datenblätter

SI3850ADV-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP

Artikelnummer

SI3850ADV-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Leistung max

1.08W

Gerätepaket des Lieferanten

6-TSOP

FET-Typ

N and P-Channel, Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1.4A, 960mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

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