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SI3812DV-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP

Artikelnummer

SI3812DV-T1-E3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

LITTLE FOOT®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Gerätepaket des Lieferanten

6-TSOP

Verlustleistung (max.)

830mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Schottky Diode (Isolated)

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA (Min)

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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