Kaufen Vishay Siliconix SI3476DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 80V 4.6A TSOP-6

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Datenblätter

SI3476DV-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 4.6A TSOP-6

Artikelnummer

SI3476DV-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Gerätepaket des Lieferanten

6-TSOP

Verlustleistung (max.)

2W (Ta), 3.6W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

4.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

93 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

195pF @ 40V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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