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SI3400A-TP

SI3400A-TP

N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE
Artikelnummer
SI3400A-TP
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-23
Verlustleistung (max.)
400mW
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1.155nF @ 15V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
2.5V, 10V
Vgs (Max)
±12V
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