Kaufen Vishay Siliconix SI3430DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP

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Datenblätter

SI3430DV-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP

Artikelnummer

SI3430DV-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Gerätepaket des Lieferanten

6-TSOP

Verlustleistung (max.)

1.14W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA (Min)

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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