Kaufen Vishay Siliconix SI3417DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6

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Datenblätter

SI3417DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6

Artikelnummer

SI3417DV-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Gerätepaket des Lieferanten

6-TSOP

Verlustleistung (max.)

2W (Ta), 4.2W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25.2 mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1350pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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