Kaufen Vishay Siliconix SI2347DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

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Datenblätter

SI2347DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

Artikelnummer

SI2347DS-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-23-3

Verlustleistung (max.)

1.7W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

705pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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