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SI2301A-TP

SI2301A-TP

P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE
Artikelnummer
SI2301A-TP
Hersteller/Marke
Teilestatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-23
Verlustleistung (max.)
1.25W
FET-Typ
P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
880pF @ 6V
Vgs (Max)
±8V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
2.5V, 4.5V
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